김종진 회원이 삼일문화재단에서 수여하는 3.1문화상 자연과학부문 학술상을 수상하였다.
강유전체와 반강유전체의 상전이 특성, 비선형 유전상수, 이력곡선의 축척(scaling) 해석, 쌍극자 유리(dipole glass)의 이완시간 분포함수 측정 등으로 강유전체 분야에 선도적인 연구방향을 제시해왔고, 박사학위 20여명과 석사학위 50여명을 성공적으로 졸업시켰고, 국내외 학술지에 120여편(국외 92편, 국내 30편)의 논문을 발표하였다.
김종진 교수는 서울대학교를 졸업하고 미국 캘리포니아 대학교에서 이학박사 학위를 취득한 후 영국 Strathclyde 대학교(Glasgow)에서 박사후 연구원을 거쳐 현재 한국과학기술원 석좌교수로 재직 중이다.
임지순 회원
올해의 과학자상 수상
임지순 회원이 한국과학기자클럽 정기총회에서 과학기자들이 뽑은 '올해의 과학자'에 선정되었다.
임지순 회원은 지난해 세계 최초로 꿈의 반도체라 불리는 탄소반도체 이론을 발표하였다. 이 이론은 탄소로 만들어진 튜브모양의 탄소나노튜브가 다발로 묶이면 반도체가 될 수 있다는 것으로 기존 실리콘반도체보다 집적도가 1만배 이상 높다. 이 이론은 또한 세계적인 과학전문잡지인 Nature지에 소개되었다.
임교수는 서울대학교를 졸업하고 미국 University of California at Berkeley에서 이학박사 학위를 취득한 후 미국벨연구소 등에서 연구활동을 한 후 현재 서울대학교 물리학과 교수로 재직 중이다
김병택 회원
성균관대학교 부총장에 취임
김병택 회원이 3월 1일자로 성균관대학교 부총장에 취임하였다.
홍치유 회원
동국대학교 부총장에 취임
홍치유 회원이 3월 1일자로 동국대학교 부총장에 취임하였다.
황인길 회원
아남반도체 부회장으로 승진
본 학회 이사인 아남반도체 황인길 회원이 아남반도체 FAB본부 부회장으로 승진하였다.
이종민 회원
광학회 회장에 당선
이종민 회원(원자력연)이 제8대 한국광학회 회장에 당선되었다. 이종민 회원의 임기는 2000년 3월 1일부터 2001년 2월 28일까지이다.
분회소식
영남대학교
조화석 회원이 3월 1일자로 이과대학장에 취임하였다.
제주대학교
최치규 회원이 3월 1일자로 이과대학장에 취임하였다.
박사학위 취득자 소개
성명: 김영훈
(1964. 4. 3生)
학위취득일자:
1999년 2월 25일
학위취득학교:
고려대학교 물리학과
지도교수: 박만장(고려대학교 물리학과)
Hg와 Cd 계열인 II-VI족 화합물 반도체의 표면 passivation에 관한 연구 Passivation은 반도체 표면의 누설전류를 최소화시키는 역할을 하는 표면처리의 한 과정이다. 그러므로 이 passivation층의 유전특성과 반도체와 passivation층의 계면에 대한 연구가 반도체 소자의 성능을 향상시키는데 매우 중요한 과제이다.
본 실험에 사용된 passivation 층들은 Hg나 Cd가 기본이 된 II-VI족 화합물반도체들에 대한 것으로 적외선 감지소자로 쓰이는 물질인 HgCdTe(HgZnTe)를 위한 CdZnTe와 양극산화막, 그리고 X-선과 Υ-선의 물질로 사용되는 CdTe (CdZnTe)를 위한 ZnTe와 ZnS들이다. 표면은 passivation층과 반도체의 계면특성에 중요한 역할을 하므로 표면의 특성 분석과 표면의 개선을 위해 여러 가지 식각 액들(젖산, 2%Br-methanol, 혼합액(2%Br-20% Lactic Acid in ethylene glycol))에 따른 표면 식각을 하여 passivation 전 식각 액들에 따른 II-VI족 화합물 반도체 표면상태의 분석을 하였고 passivation 후 passivation층들의 특성과 그 반도체와의 계면 상태를 분석하였다. 이러한 연구결과들로서 Hg1-xZnxTe (x＝0.14)의 passivation층인 H2O2 양극산화막은 HgTeO3, ZnTeO3, rich-TeO2의 성분을 이루고 2%Br-Methanol의 식각을 한 경우보다 안정된 산화막을 성장시킬 수 있었다. 이러한 산화막은 전위처리(voltage annealing)를 통해 더욱 치밀하고 안정화됨을 Raman산란과 C-V측정으로 관측하였다. HgCdTe의 passivation층으로 CdZnTe를 사용한 경우 C-V곡선의 측정결과 flat band 전압(VFB)이 0.1V, 계면트랩밀도(Dit)는 3×1010 cm2eV1로 기존의 양극산화막이나 ZnS에서 구한 값들과 비교해 볼 때 CdZnTe층은 상당히 우수한 특성을 나타내었다. CdTe, Cd1-x- ZnxTe (x0.04)의 표면을 2%Br-20% Lactic Acid in ethylene glycol용액으로 식각한 경우 2%Br-methanol용액보다 표면의 결함(defects)들이 더 많이 줄어들었다. 또한 CdTe 표면 위에 Cd1-xZnxTe (x0.2)와 ZnS로 passivation한 결과 surface trap state는 줄어들어 소수운반자 수명을 증가시키는 경향을 보았고 ZnS의 passivation층으로서의 역할을 위한 최상의 두께가 2000 Å 부근으로 나타남을 Photoluminescence(PL)과 atomic force microscopy(AFM)으로 관측하였다. ZnTe/ CdTe인 이종구조의 열처리과정을 통해 ZnTe의 두께가 1000 Å일 때 최적의 passivation 상태임을, 2000 Å 이상일 때는 계면상호작용으로 인하여 CdZnTe층이 형성됨을 PL과 X-선 분석으로 확인할 수 있었다.